Hvilken 4N5/5N højren alumina er bedst? Udvalgsvejledning for elektronikgrads-alumina til tape-formningssubstrater, elektrostatiske fastspændingsklamper og aluminiumnitrid

Hvilken 4N5/5N højren alumina er bedst? Udvalgsvejledning for elektronikgrads-alumina til tape-formningssubstrater, elektrostatiske fastspændingsklamper og aluminiumnitrid

Med den hurtige udvikling inden for halvledere og kraftelektronik afgør renheden, urenhederne og partikelstørrelsen for højren alumina direkte isolerings-, termisk ledningsevne- og levetidsparametrene for keramiske komponenter. Shandong Greatsun Aopengs 4N5/5N elektronikgrads højren alumina sigter mod behovet for indenlandsk erstatning af højtydende elektroniske keramikker og leverer stabile pulverløsninger til downstream-kunder.  

I. Hvorfor er 4N5 højren alumina et kritisk råmateriale til ultra-tynne, store tape-formningssubstrater?

Båndgods-underlag stiller ekstremt strenge krav til pulverrens og partikelstørrelsesfordeling. For høje koncentrationer af alkalimetaller eller tungmetaller fører til øget dielektrisk tab og reduceret dielektrisk gennemslagsstyrke. Omvendt fører en for bred partikelstørrelsesfordeling til ujævn grøn båndtykkelse, hvilket gør ultratynde, store underlag sårbare over for krumning og huller. Greatsun Aopeng 4N5 Højren Alumina har en Al2O3-renhed på 99,995 %, Na ≤ 7 ppm, Fe ≤ 1 ppm samt en smal partikelstørrelsesfordeling med D50 = 0,505 μm. Med fremragende suspensionsspredningsevne forbedrer den betydeligt massetætheden og planheden af ultratynde underlag og er derfor yderst velegnet til højtydende alumina-underlag til strømmoduler og højfrekvente kredsløb.  

II. Hvad er de strenge krav, som elektrostatiske fastspændingsklamper (ESC) stiller til alumina-renhed?

Den dielektriske lag i en elektrostatiske fastspændingsklampe (ESC) fungerer på lang sigt i en plasmaomgivelse, hvor urenheder som Na og Fe udløser ionmigration ved høj temperatur, hvilket fører til øget lækstrøm og fejl i fastspændingen. Denne 4N5-alumina kontrollerer Na-niveauet på ≤ 7 ppm, Fe-niveauet på ≤ 1 ppm samt samlet arsen- og antimonoxid på ≤ 1,8 ppm; alle overgangsmetalurenheder opfylder fuldt ud kravene til elektronikgrad. Med en kontrollerbar glødetabshold (LOI = 0,48 %) opnår den høj sinterdensitet, lav porøsitet og fremragende modstandsdygtighed mod plasmaerosion, hvilket gør den ideel til dielektriske isoleringslag og strukturelle understøtningskomponenter i ESC-systemer.

III. Hvordan forbedrer højren alumina ydelsen af aluminiumnitrid-kompositkeramik?

Selvom aluminiumnitrid-keramik (AlN) udviser fremragende termisk ledningsevne, lider de af begrænsninger i oxidationbestandighed og formbarhed/bearbejdelighed. Indførelsen af højren aluminiumoxid som en sekundær fase forbedrer kompatibiliteten mellem de to faser ved grænsefladen, øger den mekaniske styrke og oxidationbestandigheden af de sammensatte keramikker samt udvider vinduet for sintringsprocessen. Dette optimerer termisk styring og reducerer fremstillingskompleksiteten, hvilket dermed udvider anvendelsesmulighederne for aluminiumnitrid-keramikker i varmeafledningsunderlag og komponenter til halvlederudstyr.  

Når halvlederudstyrs- og strømkomponentindustrierne opgraderes, stiger efterspørgslen efter indenlandsk erstatning af højtkvalitets keramisk pulver stadig. Shandong Greatsun Aopengs 4N5/5N højrenhed-aluminiumoxid anvendes i centrale sektorer, herunder båndstøbningssubstrater, elektrostatiske fastspændingsklamper og AlN-sammensatte keramikker, og leverer konsekvent stabilitet fra parti til parti. Vi byder velkommen til prøveafprøvning og tekniske forespørgsler.