EN
Który gatunek wysokiej czystości glinu o stopniu 4N5/5N jest najlepszy? Przewodnik wyboru glinu elektronicznego klasy do podłoży w procesie odlewania taśmowego, uchwytów elektrostatycznych oraz azotku glinu
Wraz z szybką ewolucją półprzewodników i elektroniki mocy czystość, zawartość zanieczyszczeń oraz wielkość cząstek wysokiej czystości glinu mają bezpośredni wpływ na właściwości izolacyjne, przewodność cieplną oraz czas eksploatacji elementów ceramicznych. Glin elektronicznej klasy o stopniu czystości 4N5/5N firmy Shandong Greatsun Aopeng odpowiada na zapotrzebowanie rynku krajowego na zastąpienie zaawansowanych ceramik elektronicznych, oferując klientom z niższego szczebla stabilne rozwiązania w postaci proszków.
I. Dlaczego glin o stopniu czystości 4N5 jest kluczowym surowcem do produkcji ultra-cienkich, dużych podłoży w procesie odlewania taśmowego?
Podłoża do odlewania taśmowego stawiają wyjątkowo surowe wymagania dotyczące czystości proszku i rozkładu wielkości cząstek. Nadmiar zanieczyszczeń w postaci metali alkalicznych lub metali ciężkich powoduje wzrost strat dielektrycznych oraz obniżenie wytrzymałości dielektrycznej na przebicie. Z kolei zbyt szeroki rozkład wielkości cząstek prowadzi do nieregularnej grubości niepalonej taśmy, przez co ultracienkie i duże podłoża są bardziej podatne na wyginanie się i powstawanie otworów. Wysokoczysta gliniana 4N5 firmy Greatsun Aopeng charakteryzuje się zawartością Al2O3 na poziomie 99,995 %, Na ≤ 7 ppm, Fe ≤ 1 ppm oraz wąskim rozkładem wielkości cząstek o D50 = 0,505 μm. Dzięki doskonałej zdolności do dyspersji w zawiesinie znacznie poprawia gęstość objętościową i płaskość ultracienkich podłoży, co czyni ją idealnym materiałem do produkcji wysokowydajnych podłoży glinianych stosowanych w modułach mocy oraz obwodach wysokiej częstotliwości.
II. Jakie są surowe wymagania elektrostatycznych uchwytów próżniowych (ESC) dotyczące czystości gliny?
Dielektryczna warstwa elektrostatycznego uchwytu (ESC) działa długotrwałe w środowisku plazmy, gdzie zanieczyszczenia takie jak Na i Fe wywołują migrację jonów w wysokiej temperaturze, prowadząc do wzrostu prądu przeciekowego i awarii uchwytu. Ta glinka o czystości 4N5 kontroluje zawartość Na na poziomie ≤ 7 ppm, Fe na poziomie ≤ 1 ppm, a łączną zawartość tlenków arsenu i antymonu na poziomie ≤ 1,8 ppm; wszystkie zanieczyszczenia metalami przejściowymi spełniają w pełni progi jakościowe dla materiałów elektronicznych. Dzięki kontrolowanemu ubytkowi masy przy spalaniu (LOI = 0,48 %) osiąga ona wysoką gęstość spieczoną, niską porowatość oraz doskonałą odporność na erozję plazmową, co czyni ją idealnym wyborem na dielektryczne warstwy izolacyjne ESC oraz komponenty konstrukcyjne.
III. W jaki sposób glinka o wysokiej czystości poprawia wydajność ceramicznych kompozytów azotku glinu?
Choć keramika azotku glinu (AlN) charakteryzuje się wyjątkową przewodnością cieplną, ma ograniczenia w zakresie odporności na utlenianie oraz możliwości formowania i obróbki. Wprowadzenie wysokiej czystości glinki jako fazy wtórnej poprawia zgodność faz na granicy międzyfazowej, zwiększa wytrzymałość mechaniczną i odporność na utlenianie kompozytowej ceramiki oraz poszerza okno procesu spiekania. Dzięki temu optymalizuje się zarządzanie ciepłem i zmniejsza złożoność produkcji, co rozszerza zakres zastosowań keramiki azotku glinu w podłożach odprowadzających ciepło oraz w komponentach urządzeń półprzewodnikowych.
W miarę jak przemysł urządzeń półprzewodnikowych i urządzeń mocy modernizuje się, rośnie zapotrzebowanie na krajową substytucję wysokiej klasy proszków ceramicznych. Wysokoczysta gliniana 4N5/5N firmy Shandong Greatsun Aopeng służy kluczowym sektorom, takim jak podłoża do odlewania taśmowego, uchwyty elektrostatyczne oraz kompozytowe ceramiki AlN, zapewniając stabilność partii od partii. Zapraszamy do testowania próbek oraz złożenia zapytań technicznych.
