EN
Welke 4N5/5N hoogzuivere aluminiumoxide is het beste? Selectiegids voor elektronische-graad aluminiumoxide voor tape casting-substraten, elektrostatische klemmen en aluminiumnitride
Met de snelle vernieuwing van halfgeleiders en vermoelektronica bepalen de zuiverheid, onzuiverheden en deeltjesgrootte van hoogzuivere aluminiumoxide direct de isolatie, thermische geleidbaarheid en levensduur van keramische componenten. De 4N5/5N elektronische-graad hoogzuivere aluminiumoxide van Shandong Greatsun Aopeng richt zich op de vraag naar binnenlandse vervanging van hoogwaardige elektronische keramiek en biedt downstreamklanten stabiele poedersoplossingen.
I. Waarom is 4N5 hoogzuivere aluminiumoxide een cruciaal grondstof voor ultradunne, grote tape casting-substraten?
Tape casting-substraten stellen uiterst strenge eisen aan de zuiverheid van het poeder en de verdeling van de deeltjesgrootte. Te veel alkalimetaal- of zware metalenverontreinigingen leiden tot een hoger dielectrisch verlies en een lagere dielectrische doorslagsterkte. Een te brede verdeling van de deeltjesgrootte daarentegen veroorzaakt een ongelijkmatige dikte van de groene tape, waardoor ultradunne, grote substraten gevoelig zijn voor vervorming en gaatjes. Greatsun Aopeng 4N5 HighPurity Alumina heeft een Al2O3-zuiverheid van 99,995 %, Na ≤ 7 ppm, Fe ≤ 1 ppm en een smalle verdeling van de deeltjesgrootte met D50 = 0,505 μm. Dankzij uitstekende dispersie in suspensie verbetert het aanzienlijk de bulkdichtheid en vlakheid van ultradunne substraten, waardoor het perfect geschikt is voor hoogwaardige alumina-substraten in vermogensmodules en hoogfrequentiemodules.
II. Welke strenge eisen stelt een elektrostatische klem (ESC) aan de zuiverheid van alumina?
De diëlektrische laag van een elektrostatische klem (ESC) werkt op lange termijn in een plasma-omgeving, waar onzuiverheden zoals Na en Fe ionenmigratie bij hoge temperatuur veroorzaken, wat leidt tot een verhoogde lekstroom en klampfouten. Dit 4N5-aluminiumoxide bevat maximaal 7 ppm Na, maximaal 1 ppm Fe en maximaal 1,8 ppm totaal arseen- en antimoonoxiden; alle overgangsmetalenonzuiverheden voldoen volledig aan de elektronische-kwaliteitsvereisten. Met een nauwkeurig regelbare verlies bij verbranding (LOI = 0,48 %) bereikt het een hoge gesinterde dichtheid, lage porositeit en uitstekende weerstand tegen plasma-erosie, waardoor het ideaal is voor diëlektrische isolatielagen en structurele ondersteuningscomponenten van ESC’s.
III. Hoe verbetert hoogzuiver aluminiumoxide de prestaties van aluminiumnitride-composietceramiek?
Hoewel aluminiumnitride (AlN)-keramiek uitstekende thermische geleidbaarheid vertoont, kent het beperkingen op het gebied van oxidatiebestendigheid en vormbaarheid/bewerkbaarheid. Het toevoegen van hoogzuiver aluminiumoxide als secundaire fase verbetert de compatibiliteit aan de grensvlakken tussen de twee fasen, versterkt de mechanische sterkte en oxidatiebestendigheid van de composietkeramiek en vergroot het sinterprocesvenster. Dit optimaliseert het thermisch beheer en vermindert de productiecomplexiteit, waardoor de toepassingsmogelijkheden van aluminiumnitride-keramiek in warmteafvoersubstraten en componenten voor halfgeleiderapparatuur worden uitgebreid.
Naarmate de industrieën voor halfgeleiderapparatuur en vermogenscomponenten zich vernieuwen, neemt de vraag naar binnenlandse vervanging van hoogwaardige keramische poeders voortdurend toe. De 4N5/5N-hoogzuivere aluminiumoxide van Shandong Greatsun Aopeng wordt gebruikt in essentiële toepassingsgebieden zoals substraatmaterialen voor tape-casting, elektrostatische klemmen en AlN-composietkeramiek, en biedt consistente stabiliteit van partij tot partij. Wij nodigen u uit om monsters te testen en technische vragen te stellen.
